針對電動車充電推出全新的完整碳化硅MOSFET模組方案 【台北訊，2021年6月8日】推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出一對1200 V完整的碳化矽 (SiC) MOSFET 2-PACK模組，進一步強化其用於充滿挑戰的電動車 (EV) 市場的產品系列。 隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛需求的基礎設備，以提供一個快速充電系統網路，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW的功率水準和95%的能效成為“常規”。鑒於這些充電站部署要在不同的環境和地點，緊密性、穩固性和強化的可靠性都是設計人員面臨的挑戰。 新的1200 V M1完整SiC MOSFET 2 pack模組，基於平面技術，適合18 V到20 V範圍內的驅動電壓，易於用負門極電壓驅動。它的較大裸晶與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸晶溫度。 NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是採用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是採用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝採用壓接式引腳，是工業應用的理想選擇，且嵌入的一個負溫係數 (NTC) 熱敏電阻有助於溫度監測。 新的SiC MOSFET模組是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。 NCD57252採用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。 安森美半導體的SiC MOSFET與新的模組和門極驅動器相輔相成，比類似的矽器件提供更勝一籌的開關性能和增強的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，並減小系統尺寸和重量。 最近發佈的650 V SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，使(RDS(on)*area) 的品質因數 (FoM) 達到同類最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場上採用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS(on) 的MOSFET。 1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET晶片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg – 低至220 nC），從而減少電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。 在 APEC 2021 期間，安森美半導體將展示用於工業應用的 SiC方案，並在參展商研討會上介紹電動車非車載充電方案。
安森美半導體在APEC 2021宣佈
針對電動車充電推出全新的完整碳化硅MOSFET模組方案
【台北訊，2021年6月8日】推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出一對1200 V完整的碳化矽 (SiC) MOSFET 2-PACK模組，進一步強化其用於充滿挑戰的電動車 (EV) 市場的產品系列。
隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛需求的基礎設備，以提供一個快速充電系統網路，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW的功率水準和95%的能效成為“常規”。鑒於這些充電站部署要在不同的環境和地點，緊密性、穩固性和強化的可靠性都是設計人員面臨的挑戰。
新的1200 V M1完整SiC MOSFET 2 pack模組，基於平面技術，適合18 V到20 V範圍內的驅動電壓，易於用負門極電壓驅動。它的較大裸晶與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸晶溫度。
NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是採用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是採用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝採用壓接式引腳，是工業應用的理想選擇，且嵌入的一個負溫係數 (NTC) 熱敏電阻有助於溫度監測。
新的SiC MOSFET模組是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
NCD57252採用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。
安森美半導體的SiC MOSFET與新的模組和門極驅動器相輔相成，比類似的矽器件提供更勝一籌的開關性能和增強的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，並減小系統尺寸和重量。
最近發佈的650 V SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，使(RDS(on)*area) 的品質因數 (FoM) 達到同類最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場上採用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS(on) 的MOSFET。
1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET晶片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg – 低至220 nC），從而減少電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。
在 APEC 2021 期間，安森美半導體將展示用於工業應用的 SiC方案，並在參展商研討會上介紹電動車非車載充電方案。